当前位置:首页»产物与使用»半导体材料www.33883.com
半导体材料

区熔硅单晶

奥门金沙官网

本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon

经由过程区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺点密度,晶格构造完善的硅单晶,晶体生长历程中不引入任何杂质,其电阻率凡是在1000Ω•cm 以上,次要用于建造高反压器件和光电子器件。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon

本征区熔硅单晶经由过程中子辐照可获得高电阻率平均性的硅单晶,包管了器件建造的成品率和一致性。次要用于建造硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各种变频器、整流器、大功率掌握器件、新型电力电子器件的主体功用质料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特别功率器件等的主体功用质料。

气相搀杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon

操纵杂质的分散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的历程中参加气相杂质,从根本上处理了区熔工艺搀杂艰难的成绩,可得到N型或P型、电阻率范畴0.001-300Ω.cm,电阻率平均性与中子辐照相称的气掺硅单晶,其电阻率在适用于建造各种半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon

接纳直拉与区熔两种工艺相结合的方法拉制硅单晶,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特别元素比方镓(Ga)、锗(Ge)等。接纳直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏财产利用的各种硅片,太阳能电池转换服从高达24-26%。产物次要应用于特别构造、背打仗、HIT等特别工艺建造的高效太阳能电池上,并更加普遍的用于LED、功率器件、汽车、卫星等浩瀚产物和领域中。

 

区熔硅单晶规格

FZ monocrystalline silicon specification

单晶品种

导电范例

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

高阻

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1000

中子辐照(NTD

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔(CFZ

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相搀杂(GD

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

澳门金沙城总站服务

硅片规格

  Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

 

奥门金沙误乐城
奥门金沙官网